21318 単結晶シリコンウエハにおける破壊挙動と破壊靭性評価(材料強度と構造設(2),OS.5 材料強度と構造設計)
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概要
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This paper provides an evaluation of fracture behavior and fracture toughness on single crystal silicon wafers. Fracture toughness (K_<IC>) were measured on the major planes of single crystal silicon using both method of indentation fracture (IF) method and controlled surface flaw (CSF) at room temperature. The values of K_<IC> on the surface orientations {100}, {110}, and {111} obtained by IF method were found to be 1.31±0.13, 0.84±0.14 and 1.16±0.13 MPa・m^<0.5> respectively. K_<IC> on the surface orientation {111} obtained by CSF method depends on indenter profiles.
- 2009-03-05
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