LSIパッケージ用高密度配線技術(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
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概要
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LSIパッケージ基板用の高密度配線を目的とした我々の開発技術を紹介する。絶縁膜上の配線形成では、絶縁膜表面に水酸基を形成し、シランカップリング剤と反応させる密着付与技術を開発した。これにより、平滑絶縁膜表面に密着力の高い微細銅配線の形成が可能である。平滑配線表面の絶縁膜形成では、トリアジンチオールとシランカップリング剤の2段階処理の密着付与技術を開発した。これらの平滑配線技術は、今後のLSIパッケージ基板の高密度化だけでなく、高周波伝送にも有効である。
- 2011-11-21
著者
-
上西 啓介
大阪大学大学院工学研究科
-
上西 啓介
大阪大学大学院工学研究科ビジネスエンジニアリング専攻
-
上西 啓介
大阪大 大学院工学研究科
-
谷 元昭
株式会社富士通研究所
-
佐々木 伸也
株式会社富士通研究所
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