開放故障に伴う不安定論理の固定化(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
不安定な出力論理を有するフローティングゲート故障に対して、出力論理値を固定化する実験を行った.実験はゲートオープン故障を作り込んだInverter回路に外部からレーザを照射する方式である.その結果、出力論理は"H"固定した.同時にI_<DD>値も変動した.この変動値は正常状態の特性の動作点に一致した.そして、レーザ照射を止めると特性は元の状態に戻った.更に、ゲート電極を共通にした2個のInv回路の一方側にレーザ照射を行う実験では他方側の出力が"H"に固定した.単体Trによるレーザ照射実験と合わせてこの現象に関して述べる.
- 2011-02-11
著者
関連論文
- 書評「故障解析技術」二川清著(サロン)
- 開放故障に伴う不安定論理の固定化 : 簡易な故障診断技術を目指して(テストII,デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地-)
- 電源電流を用いたLSI評価法は再びよみがえるか?(電子デバイスの信頼性技術)
- 品質意識は実社会との交流でもたらされる : 大学でのLSI評価・解析を通した試み(信頼性・品質技術の教育)
- 開放故障に伴う不安定論理の固定化 : 簡易な故障診断技術を目指して(テストII,デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- DEFデータの視覚化による故障箇所候補の特定(テストI,デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地)
- DEFデータの視覚化による故障箇所候補の特定(テストI,デザインガイア2009-VLSI設計の新しい大地-)
- 素子レベルによる故障診断技術 : 故障LSIの物理解析のためのアシスト技術(LSIのテスト・評価技術)
- 「星の王子さま」が伝えたかったこと
- レーザ照射によるオープン故障LSIの論理の固定化
- LSIの進展に対する電源電流を用いた評価技術の推移
- I_を用いたLSIの劣化兆候の検出(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)
- I_を用いたLSIの劣化兆候の検出(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)
- 開放故障に伴う不安定論理の固定化(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)
- 開放故障に伴う不安定論理の固定化(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)
- CMOSトランジスタの動作点解析による故障箇所の特定(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)
- 「星の王子さま」が伝えたかったこと
- LSIの信頼性と保全性 : 電流が教える劣化の兆候(2011年度第1回フォーラムより〜信頼性・安全性に関する特別セミナー〜)
- 第2回「科学技術教育フォーラム」に参加して(サロン)
- 江戸の庶民が競って奉納した和算解析法
- 書評 評価技術の型を伝授する「はじめてのデバイス評価技術」第2版, 二川清著, 森北出版(サロン)
- ミストCVD法によるAlOx薄膜作製に対するO3支援の効果
- 信頼性から見た平家一門の衰退
- 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlO_x酸化物TFTの作製とその特性
- 準静電界センシングによるLSI内部構造の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 準静電界センシングによるLSI内部構造の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 準静電界センシングによるLSI内部構造の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 準静電界センシングによるLSI内部構造の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)