準静電界センシングによるLSI内部構造の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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準静電界は磁界を含まない電界の一種であり物質の廻りに広く分布する.この準静電界は無バイアス状態での測定が可能なこと及び,伝搬しないため反射や回折を伴わないという特徴があるため,精度良く観測できる.我々は既存のOBIC装置にNEPS (Nano Electrostatic field Probe Sensor)と呼ぶ準静電界検出センサーを取り付けることで準静電界画像の取得を行い,LSIの内部状態を評価した.その結果,LSIのwell不純物の識別や配線ボイドなど基板の評価が可能であることが判明した.目標とする結晶欠陥の識別や欠陥に欠陥分布のマッピングへの適用に対して今回明らかになった問題点を改良することで実現を図る.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-22
著者
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