表面活性化ダイレクトボンディングを用いた半漏れ型光アイソレータの製作
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概要
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磁気光学結晶Ce:YIGにLiNbO_3クラッド層を表面活性化ダイレクトボンディングで接合し,導波TEモードと放射TMモード間に生ずる磁気光学効果による非相反モード変換とLiNbO_3による相反モード変換を利用して半漏れ型光アイソレータを試作した.長さ1.6mmの試作デバイスで,波長1.55μmにおいてアイソレーション比20.2dBが得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-01
著者
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