ガスフロースパッタ法で作製されたZrO_2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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ZrO_2膜をNiCr膜と基板との熱ひずみのバッファ層として用いた場合のNiCr抵抗体の抵抗温度係数(Temperature Coefficient of Resistance: TCR)特性の変化について調べた.NiCr膜はRFマグネトロンスパッタ法にて作製し,ZrO_2膜はガスフロースパッタ法を用いて作製した.まず,Zr金属ターゲットを用いて,ガスフロースパッタ法の放電特性の考察を行い,その放電特性を最適化した.次に酸素を導入した反応性スパッタ法にて,膜構造の酸素流量依存性とスパッタ電力依存性を調べた.その結果,0.0125sccm以上の酸素流量で,多結晶のZrO_2膜が作製でき,さらにスパッタ電力を200W以上にすると,高温相である正方晶(t-ZrO_2)を含むポーラス構造の膜が作製できた.その膜の機械的特性はナノインデンテーション法により測定した.その膜はRFマグネトロンスパッタ法で作製した膜の20分の1の硬さを示した.そして,その膜をNiCr抵抗体のバッファ層として使用したNiCrのTCR特性は,平坦でより低剛性なZrO_2膜を用いた場合に最も改善され,TCRが0のNiCr抵抗体を作製することができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
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