膜堆積中と後にArイオン衝撃を加えたFe薄膜の構造と磁気特性(薄膜)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Three kinds of Fe films, without Ar bombardment [B_<NON>], with Ar bombardment after deposition [B_<AFT>], and with Ar bombardment during deposition [B_<DUR>], were prepared by dual ion-beam sputtering. The relationship between the morphology and the magnetic characteristics of the Fe films was investigated as a function of the film thickness t_F in the wide range between 0.5 and 600 nm. The sputtering voltage and current were fixed at 1200 V and 50 mA, respectively. The Ar bombardments for B_<AFT> and B_<DUR> were carried out at an ion acceleration voltage of 200 V. The features of the film growth were very different according to the type of bombardment. The B_<NON> films changed from an island structure to a layer structure at t_F between 8.0 and 16 nm. The B_<AFT> and B_<DUR> films were revealed smoother surfaces than B_<NON> and echibited a layer structure at t_F above 1.0 nm. However, the saturation magnetization 4πM_s of B_<DUR> abruptly decreased at t_F below 8.0 nm, since the Ar bombardment knocked Fe atoms into the surface region of the glass substrate during the initial growth stage. On the other hand, 4πM_s of B_<NON> and B_<AFT> took an almost constant value of 21.5 kG with a fluctuation of about 5%. The coercivity H_c of B_<AFT> hadlowest value all the films at t_F below 4.0 nm. Tuese results indicate that Ar bombardment after deposition is useful for preparing ultrathin Fe films with excellent soft magnetic properties.
- 2004-03-01
著者
関連論文
- 膜堆積中と後にArイオン衝撃を加えたFe薄膜の構造と磁気特性(薄膜)
- Arイオン衝撃処理によるイオンビームスパッタFe膜の構造と磁気特性変化(薄膜プロセス・材料,一般)
- S1105-1-3 (111)面に配向したTiN膜の摩耗特性評価(表面改質とトライボロジー1)
- RFマグネトロンスパッタ法とイオンビームスパッタ法にて作製されたNiCr薄膜の抵抗温度係数特性に及ぼす熱ひずみ効果(電子部品)
- NiCr薄膜抵抗体における熱歪と抵抗温度係数(TCR)特性(薄膜プロセス・材料, 一般)
- C-6-10 NiCrスパッタ膜の熱歪が温度抵抗特性TCRに及ぼす効果(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- イオンビームスパッタ法による窒素イオン衝撃を用いたFeN薄膜の作製 (薄膜)
- 窒素イオン衝撃によるFeN薄膜の作製
- イオンビームスパッタ法によるFe薄膜のAr照射効果
- ガスフロースパッタ法で作製されたZrO_2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-2 低剛性ZrO_2バッファ層を用いたNiCr抵抗膜のTCR特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- スパッタ法で作製されたNiCr薄膜の構造と抵抗温度係数(TCR)特性に及ぼす基板の表面あらさの影響(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-1 NiCr抵抗体膜のZrO_2バッファ層による抵抗温度係数TCR特性の変化(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Arイオン衝撃処理によるイオンビームスパッタFe膜の構造と磁気特性変化
- デュアルイオンビームスパッタ法を用いたAu超薄膜の作製とその紫外域透明電極への応用
- デュアルイオンビームスパッタ法によるFe-N膜の作製とそのアニール特性
- IBS法におけるスパッタガス種の鉄薄膜特性に及ぼす影響
- イオンビー・ムスパッタ法における反跳Arの鉄薄膜特性に及ぼす影響
- イオンビームスパッタ法における反跳Arの鉄薄膜特性に及ぼす影響