SOI技術による7.5μm厚,0.15mm角RFIDチップの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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0.18μm CMOS SOI技術による7.5μm厚で,0.15mm角のRFIDチップを開発した.動作キャリア周波数は2.45GHzで通信距離は480mmである.SOI技術を用いると,埋め込み酸化膜層を薄型加工時のエッチングストッパーとして使用することができる.RFIDアンテナはチップ両面電極構造によりチップに接続される.
- 2006-08-10
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