加速線源を用いたSRAMソフトエラー評価におけるデバイス内分布

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概要

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パッケージや配線材質等から入射したα粒子がセルデータを破壊するソフトエラーは、その入射条件に大きく依存することが指摘されている。一般に入射エネルギーが低く、入射角が浅い場合がワーストケースとされ、より多くの発生電荷がノード部分拡散層へ収集される。このことは加速線源を用いたソフトエラー試験において、セルと加速線源の位置にり不均一なFail bit分布を表わす事を示している。われわれは相似型セルと同一周辺回路で構成するSRAMを試作、評価を行ってきた。そして、今回デバイス内の各セルブロック別のFail bitの比較を行い、入射条件の違いによる影響について調査を行った。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

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