高抵抗負荷型相似セルを用いたソフトエラー評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• LSIの微細化、低電圧化に伴いSRAMのセル容量が減少し、ソフトエラー耐性の低下が予想される。そこで、スプリット・ワードライン型で、負荷に高抵抗を用いたセルで相似セルのアレイを3種類製作した。そして、そのアレイと同一周右辺回路とで構成される256KbitSRAMを試作し、ソフトエラー加速試験をおこなった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-03-27

著者

• 宮保 徹

  富士通株式会社DRAM事業部

• 水谷 和宏

  富士通株式会社LSI商品事業本部DRAM事業部

• 松宮 正人

  富士通(株)DRAM事業部

• 古賀 徹

  富士通(株)DRAM事業部

• 古賀 徹

  富士通株式会社

• 松宮 正人

  富士通株式会社

• 鵜澤 裕一

  富士通株式会社

• 水谷 和宏

  富士通株式会社

• 宮保 徹

  富士通株式会社

関連論文

• 独立冗長セルアレイ方式を採用した256Mb DRAM
• グランドレベルプリチャージと非昇圧ワード線を用いた1 Gb SDRAMの開発
• グランドレベルプリチャージと非昇圧ワード線を用いた1Gb SDRAMの開発
• レジスター制御型DLLを搭載した256Mb SDRAM
• 高速・低消費電力DRAMのためのビット線をプリチャージしないセンス方式
• 高速・低消費電力DRAMのためのビット線をプリチャージしないセンス方式
• 高速・低消費電力DRAMのためのビット線をプリチャージしないセンス方式
• DRAMのリフレッシュ特性を改善するためのセンス技術
• 256MDRAM用シリンダー型セルの開発
• 500MHzパイプライン動作の1Mb-CMOS-SRAM
• 薄膜a-Siスルーチャネルドーピングを用いたMOSFETの回路性能への影響
• 加速線源を用いたSRAMソフトエラー評価におけるデバイス内分布
• 高抵抗負荷型相似セルを用いたソフトエラー評価

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク