256MDRAM用シリンダー型セルの開発

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 256M以降のDRAMの問題点として微細ホールの開口技術および位置合わせ精度の向上がフォトリソグラフィーに要求されている。しかし、将来的にはデバイスの微細化の要求を満たせなくなる事が予想されている。この問題を解決すために、種々のセルが開発されているが、いずれのセルも、プロセスの複雑化や工程の増加を伴い、量産面での問題があった。そこで今回我々は以上の問題を解決出来る構造のセルを開発したので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-09-18

著者

• 河野 通有

  富士通株式会社

• 石井 祐樹

  富士通株式会社

• 兒嶋 秀之

  富士通株式会社LSI商品事業本部DRAM事業部

• 水谷 和宏

  富士通株式会社LSI商品事業本部DRAM事業部

• 姉崎 徹

  富士通株式会社

• 荏本 省二

  富士通株式会社

• 江間 泰示

  富士通株式会社

• 河野 通有

  富士通株式会社デバイス技術統括部

• 水谷 和宏

  富士通株式会社

関連論文

• 高速DRAM用500MHz動作ノンプリチャージド・データバス方式の開発
• 高速DRAM用500MHz動作ノンプリチャージド・データバス方式の開発
• Large Signal Sensing Schemeによる8Mbit SRAMマクロ(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
• レジスター制御型DLLを搭載した256Mb SDRAM
• 256MDRAM用シリンダー型セルの開発
• 薄膜a-Siスルーチャネルドーピングを用いたMOSFETの回路性能への影響
• 加速線源を用いたSRAMソフトエラー評価におけるデバイス内分布
• 高抵抗負荷型相似セルを用いたソフトエラー評価

スポンサーリンク