薄膜a-Siスルーチャネルドーピングを用いたMOSFETの回路性能への影響

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
近年、メモリLSIは大容量化や高速化と共に電源の低電圧化が盛んに進んでいる。特に低電圧動作のためには、しきい値電圧(以下、Vthとする)を制御することが要求される。そのためのプロセスとしてゲート酸化後にチャネルドーピングを行う薄膜a-Siスルーチャネルドーピングが試みられている。このプロセスではVthを低く設定できるが、接合容量の増加が考えられる。そこで今回、従来のプロセスとゲート酸化後にチャネルドーピングを行うプロセスとの相違点を見るため、それぞれのプロセスで造られたリングオシレータ及び、SRAMの周辺回路を実測とシミュレーションで比較、検討を行ったので、その結果を報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-03-27

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク