DRAMのリフレッシュ特性を改善するためのセンス技術
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概要
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64Mb以上のDRAMでは, センスアンプ面積を減らすために, 一本のビット線につながるメモリセル数は, これまでの2倍の256に増やされ始めている。しかし, メモリセル蓄積容量はほぼ一定のため, 読み出し時にビット線に現れる差電位は減少する。そこで, 読み出し時にビット線に現れる差電位が減少しても, この差電位を増幅できるようにセンスアンプの感度を高める手法を検討し, テストチップで確認を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
加藤 好治
富士通VLSI株式会社
-
齋藤 悟
富士通株式会社dram事業部
-
中矢 伸好
富士通VLSI株式会社第2LSI開発部
-
馬場 文雄
富士通VLSI株式会社第2LSI開発部
-
宮保 徹
富士通株式会社DRAM事業部
-
黒田 将
富士通VLSI (株)
-
鵜飼 裕明
富士通VLSI (株)
-
山本 正治
富士通VLSI (株)
-
宮保 徹
富士通(株)
-
斎藤 悟
富士通(株)
-
加藤 好治
富士通vlsi株式会社第2lsi開発部
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