光スイーパを用いた活性層光混合法によるLDの変調周波数特性の測定(II)
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概要
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半導体レーザ(LD)の変調周波数特性は諸特性を規定する重要なパラメータである。この測定法の1つとして活性層光混合法がある。この方法は、被測定LDを直流でバイアスさせたまま測定できるので、配線リード等の影響を受けることなく半導体レーザそのものの特性を評価することができる。前回までに、遅延自己ヘテロダイン法による光スイーパを活性層光混合法の注入光源として用いて予備実験を行った。今回、Lock-in-Ampを用いることによってより高い周波数までの変調周波数特性を測定したので報告する。
- 1995-09-05
著者
-
後藤 俊夫
名古屋大学化学科
-
森 正和
愛知工業大学
-
後藤 了祐
名古屋大学
-
森 正和
名古屋大学
-
後藤 了祐
富士通
-
後藤 俊夫
名古屋大学 工学研究科量子工学専攻
-
宮内 彰
富士通
-
北島 克也
名古屋大学
-
宮内 彰
富士通株式会社
-
後藤 俊夫
名古屋大学
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