TSI工程によるアイソレイシン構造の具現
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概要
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TSI工程はSLR工程からおごるさまさまは問題を除く可能性がある。しかしラインエツチラフニス(LER), 残留物, CDの均一性, リウグなどの問題があるため1Gテクナラシソに摘用するのがおずかしいである.われわれはごごで1GビートDRAMの180nmのアイソレイシン構造の研究結果を報告する.またわれわれは乾式植刻後でまるレジストパターンをBOEとクリン-D溶液(H_2SO_4とH_2O_2の混合物)を使用して除去するリウーク工程を開発した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-24
著者
-
白 基鎬
Semiconductor Research Div. Hyundai Electronics Industries Co. Ltd.
-
金 亨基
Hyundai Electronics Induestries.
-
金 明〓
Hyundai Electronics Induestries.
-
ト 〓圭
Hyundai Electronics Induestries.
-
金 炯秀
Hyundai Electronics Induestries.
-
白 基鎬
Hyundai Electronics Induestries.
-
卜 〓圭
Hyundai Electronics Induestries
-
金 明洙
Hyundai Electronics Induestries
-
金 炯秀
Hyundai Electronics Induestries
-
白 其鎬
Semiconductor Research Div. Hyundai Electronics Industries Co. Ltd.
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