TSI工程によるアイソレイシン構造の具現

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概要

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• TSI工程はSLR工程からおごるさまさまは問題を除く可能性がある.しかしラインエツチラフニス(LER), 残留物, CDの均一性, リウグなどの問題があるため1Gテクナラシソに適用するのがおずかしいである.われわれはごごで1GビートDRAMの180nmのアイソレイシン構造の研究結果を報告する.またわれわれは乾式植刻後でまるレジストパターンをBOEとクリン-D溶液(H_2SO_4とH_2O_2の混合物)を使用して除去するリウーク工程を開発した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-07-24

著者

• Baik Ki-ho

  Hyundai Electronics Induestries.

• 金 亨基

  Hyundai Electronics Induestries.

• 金 炯秀

  Hyundai Electronics Induestries.

• 白 基鎬

  Hyundai Electronics Induestries.

• Kim Hyoung-Gi

  Hyundai Electronics Induestries.

• Kim Myoung-Soo

  Hyundai Electronics Induestries.

• Bok Cheol-Kyu

  Hyundai Electronics Induestries.

• Kim Hyeong-Soo

  Hyundai Electronics Induestries.

• 卜 〓圭

  Hyundai Electronics Induestries

• 金 明洙

  Hyundai Electronics Induestries

• 金 炯秀

  Hyundai Electronics Induestries

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