光近接補正にたいする超薄膜レジストの近似モデル

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概要

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• 光近接補正(OPC)技術について研究した.光リソグラプィで近接効果の発生は空間イメージ・シムュレーションで説明できる光の回析によって起因する要素とノンーリニアリティを生じさせる酸の拡散が主因子となるレジズト工程で起こる要素で構成されている.超薄膜の場合には吸収されたエネルギーを三次元分布の代わりに二次元分布で説明できる.この簡単な仮定でPEBによる酸の拡散は空間イメージの拡散に相当し, 化学増幅も分析的に説明できる.拡散空間イメージと呼ばれる拡散と化学増幅を含む変形空間イメージは直接的にパターンの状態に関して情報を提供できるごとである.そこで拡散空間イメージ・モデルさえ使えば速く単純に実験データーを期待値によく合わせて説明できる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-07-24

著者

• 〓 泳穆

  Semiconductor Research Div. Hyundai Electronics Industries Co. Ltd.

• 咸 泳穆

  Semiconductor Research Div. Hyundai Electronics Industries Co. Ltd.

• 金 煕範

  Semiconductor Research Div. Hyundai Electronics Industries Co. Ltd.

• 白 其鎬

  Semiconductor Research Div. Hyundai Electronics Industries Co. Ltd.

• 安 昌男

  Semiconductor Research Div., Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.,

• 具 永〓

  Semiconductor Research Div., Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.,

• 安 昌男

  Semiconductor Research Div. Hyundai Electronics Industries Co. Ltd.

• 具 永〓

  Semiconductor Research Div. Hyundai Electronics Industries Co. Ltd.

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