TiO_2膜成長に与えるSi表面プラズマクリーニング効果

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概要

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• 電気・化学的特性に優れたルチルリッチTiO_2膜は,Heガスを導入してO_2をイオン化することにより低温Si基板上に成長させ得ることが判明したが,この場合基板は成膜前Arでスパッタエッチングしてクリーニングしている.本研究はAr以外のエッチングガス,H_2ガス及びCF_4を含む混合ガスで処理しても同等のルチルリッチなTiO_2膜が得られるかを検討した.その結果,H_2のみでは主にアナターゼTiO_2膜が成長し,Ar+H_2+CF_4の混合ガスでは最適処理時間のもとでルチルTiO_2膜が得られることがわかった.これは正極性のSiH及び負極性のSiFとO_2正イオンの相互作用で起きると考えられる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-09-25

著者

• 柴田 明

  福井工業高等専門学校

• 北 一麻呂

  福井工業高等専門学校電気工学科

• 沖村 邦雄

  東海大学工学部電子工学科

• 沖村 邦雄

  東海大学電子工学科

• 沖村 邦雄

  Tokai Univ. Kanagawa Jpn

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