反応性スパッタ法による相転移V_2O_3薄膜のサファイア基板上へのエピタキシャル成長
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概要
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Vanadium sesquioxide (V2O3) is known as a crystalline phase of vanadium oxide with metal-insulator transition (MIT). This V2O3 has hexagonal corundum crystalline structure same as sapphire. In this study, highly c-axis textured V2O3 crystalline growth on c-plane sapphire substrate was realized even at film thickness around 15 nm under carefully-controlled small oxygen flow conditions in reactive magnetron sputtering. In-plane compressive strain state was found for the thin V2O3 films, while lattice relaxation was observed with increase of film thickness. Under higher growth temperature, abrupt MIT of the films with resistance change over several decades was achieved at temperature around 160 K.
- 2011-03-20
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