ヘテロ界面に周期性を有するInGaAs量子井戸の光学および伝導特性
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概要
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(111)B微傾斜基板上に形成する多段原子ステップを利用して、ヘテロ界面に約30nmの周期を持つInGaAs量子井戸(QW)を作製し、その光学特性および伝導特性について調べた。(111)B基板上に作製した井戸幅11nmの量子井戸では、メインピークの8meV上にショルダーが存在する発光スペクトルが得られた。また移動度は電子密度にほとんど依存せず、しかも<1-00>方向の移動度が<01-1>方向より約2倍高い値を示した。この異方性の原因は多段原子ステップに対する電流の方向に関係していると考えられる。これらの特性は(100)上に作製した量子井戸の特性と異なることから、ヘテロ界面を形成する凹凸構造に起因していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-22
著者
-
中村 有水
マックスプランク固体物理研究所
-
榊 裕之
東京大学生産技術研究所
-
榊 裕之
東大先端研
-
榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
-
榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
-
榊 裕之
(社)応用物理学会
-
野田 武司
生産研
-
野田 武司
東京大学生産技術研究所
-
永宗 靖
電子技術総合研究所
-
永宗 靖
電総研
-
永宗 靖
電子技術総合研究所光技術部
-
榊 裕之
生産技術研究所
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