量子井戸におけるテラヘルツ共鳴サイドバンド発生 : 新しい励起子分光法
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概要
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GaAs量子井戸に, バンドギャップ付近の近赤外光(振動数ω_<NIR>)と, 自由電子レーザーによるテラヘルツ光(振動数ω_<THZ>)を同時照射したところ, 通常の励起子発光のほかに, 振動数ω_<NIR>±2nω_<THZ>(nは自然数)の鋭い発光線を観測した. この発光線(サイドバンド)は, 近赤外光とテラヘルツ光が励起子中で混合したために生じたもので, その共鳴は励起しの内部遷移について様々な情報を与えてくれる.
- 1998-09-05
著者
-
榊 裕之
東京大学生産技術研究所
-
榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
-
榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
-
井下 猛
科学技術振興事業団樽茶多体相関場プロジェクト
-
河野 淳一郎
W. W. Hansen Experimental Physics Laboratory, Stanford University
-
榊 裕之
科学技術振興事業団量子遷移プロジェクト
-
井下 猛
科学技術振興事業団
-
河野 淳一郎
W. W. Hansen Experimental Physics Laboratory Stanford University
-
井上 猛
科学技術振興事業団量子遷移プロジェクト
-
井上 猛
科学技術振興事業団
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