ナノの舞台で電子を操る (特集 量子の世界)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 28pTB-14 リッジ型量子細線レーザー構造の発光・発振偏光角度分布と波動関数との対応
- 25pSB-9 リッジ型半導体量子細線構造における価電子帯波動関数の数値計算と発光・発振偏光特性
- 24pL-8 リッジ型量子細線レーザー構造のパターンサイズ依存性
- 25pD-4 リッジ型量子細線レーザー構造内部でのキャリア拡散
- 30p-ZE-2 リッジ型量子細線レーザー構造内におけるキャリア発光空間分布
- 27p-YN-13 リッジ型量子細線レーザーにおけるキャリア分布・密度および偏向特性
- 2p-YH-10 リッジ型GaAs量子細線構造からのレーザー発振II
- 5a-E-7 リッジ型GaAs量子細線構造からのレーザー発振
- 青色発光ダイオードを求めて
- 有機半導体研究の事始めと応用物理
- 5.学術・技術分野における専門的職業人の使命と市民としてのモラル(研究者・技術者の倫理観・人生観)
- 究める科学・活かす技術-人と宇宙の未来のために- : 開催報告
- 世界物理年と応用物理学
- 21世紀の世界と応用物理学の未来
- 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
- 「ナノエレクトロニクスへの期待と展望」
- パネルディスカッション 21世紀の材料研究を展望して--独立行政法人 物質・材料研究機構創立記念講演会「21世紀の材料研究」
- 19pYJ-1 GaAs/AlAsリッジ量子細線からの蛍光スペクトルと寿命
- 19aYJ-4 半導体量子井戸のサブバンド吸収幅における不純物・アロイ散乱の効果とバンド非放物線性の影響
- 半導体量子ドットにおける電子フォノン相互作用 : ポーラロンの形成と緩和
- 半導体研究の新しい流れを創る
- 28pTB-6 GaAs/AlAs量子井戸の高励起蛍光スペクトルとその寿命
- 28pTB-2 GaAs量子井戸におけるサブバンド吸収幅の温度・井戸幅依存性
- ヘテロ界面に周期性を有するInGaAs量子井戸の光学および伝導特性
- 25pSB-8 GaAs T型量子細線におけるキャリアの流れ込み効果とその温度特性
- 24aL-11 GaAs量子井戸におけるサブバンド吸収幅の温度・電子濃度依存性
- 25pD-3 T型GaAs量子細線における発光、電子状態の局在効果
- LQE2000-18 変調ドープ横方向伝導型赤外光検出器 : 構造、感度、スペクトル
- 温度可変型走査型ホール素子顕微鏡による強磁性体および高温超伝導体の磁場分布観察
- 2p-N-7 走査型ホール素子顕微鏡による層状ペロブスカイト型マンガン酸化物La_Sr_Mn_2O_7の磁区観察
- フェライト多結晶の局所磁場分布の結晶粒径依存性(走査型微小ホール素子顕微鏡による磁場分布の観察)
- 28a-PS-45 走査型ホール素子・トンネル顕微鏡を用いた磁性体の観察III
- 走査型ホール素子・トンネル顕微鏡を用いた磁性体の観察II
- 走査型ホール素子-トンネル顕微鏡 : 磁場と表面形状の同時観察法
- 物理学賞--Jack S. Kilby,Herbert Kroemer & Zhores I. Alferov (科学の目 2000年度ノーベル賞受賞者の業績と人柄)
- 2a-YM-3 励起子-微小共振器強結合系の非線形光学応答II
- 8a-J-18 励起子-微小共振器強結合系の非線形モード相関
- 30p-YB-4 励起子-微小共振器結合系での非線形光学応答
- 励起子-微小共振器強結合系の非線形光学応答
- 初等中等教育に関する提言(提言1)
- すべての児童・生徒に理科の基礎を身につけさせるための緊急提言(緊急提言)
- ヘテロ界面に周期性を有するInGaAs量子井戸の光学および伝導特性
- InGaAsおよびInAlAs量子ドットを含む2次元電子チャネル伝導特性
- InGaAsおよびInAlAs量子ドットを含む2次元電子チャネルの伝導特性
- 走査型微小ホール素子-トンネル顕微鏡の開発
- 強磁場下の2重量子井戸構造における2次元電子層間のトンネル現象
- 強磁場下の2重量子井戸構造における2次元電子層間のトンネル現象
- 磁場中における2重量子井戸構造中の共鳴トンネル
- 27a-X-3 磁場中における2重量子井戸構造中の共鳴トンネル
- 量子井戸におけるテラヘルツ共鳴サイドバンド発生 : 新しい励起子分光法
- 「工学研究における大学の使命と可能性」 : ―ナノ電子工学分野での研究体験を基に―
- 27a-YN-10 テラヘルツ電場中のランダウ量子化電子系による光散乱
- 5a-E-16 遠赤外光と近赤外光の混合現象と磁気エクシトン分光
- 31a-R-10 GaAs量子井戸におけるテラヘルツ電気光字
- 強磁場下GaAs量子井戸における近赤外-遠赤外共鳴四波混合(II) : 理論
- 半導体量子ドットにおける電子状態密度
- 27p-X-9 半導体量子ドットにおける電子状態密度
- 31a-N-13 量子ドットにおける電子寿命
- 31a-N-13 量子ドットにおける電子寿命
- 25pSB-7 GaAs量子井戸のサブバンド吸収幅における凸凹散乱の効果
- 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
- 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
- 強磁場下における非対称三重障壁共鳴トンネルダイオードの磁気量子振動
- 5a-E-5 T型InGaAs量子細線からの発光の空間分布測定
- 31a-R-11 T型GaAs量子細線の発光の空間分布測定
- T型GaAs量子細線の顕微発光・発光励起スペクトル
- 2p-Z-5 T型GaAs量子細線における励起子の一次元性
- 28p-YA-17 T字型GaAs量子細線の発光励起スペクトルと一次元性
- 29a-YQ-7 GaAs 量子細線における励起子の一次元性
- Si/SiO_23次元サブミクロン周期構造 : 作製と応用について
- Si/SiO_23次元サブミクロン周期構造 : 作製と応用について
- 量子井戸におけるキャリアの動的過程-時間分解分光法による評価-
- 「学ぶ楽しみ, 探索する喜び」を次世代に
- 光科学および量子エレクトロニクスの進展と将来への期待
- 量子ナノ構造と光エレクトロニクス
- ナノ技術と創造性
- 30p-ZE-9 へき開(110)面上GaAs量子井戸の高分解顕微分光
- 27p-YN-11 へき開(110)面上にMBE成長したGaAs量子井戸の発光空間分布
- 第3回日本IBM科学賞エレクトロニクス分野 榊裕之氏(東京大学生産技術研究所教授) サイエンスはますます面白くなる--審査委員として感じること、受賞者として思うこと (特集 「科学技術立国・日本」の課題 独創の萌芽を見つけ、育てる土壌)
- ナノテクの未来を探る--21世紀に期待される先端産業の基盤技術 (特集 21世紀の社会・産業を変革するキーテクノロジー)
- ナノ・テクノロジーの現状と展開 (特集 21世紀の生活・地球環境に向けた科学技術の貢献を探る--JATES創立35周年特別記念行事[新世紀国際シンポジウム]より)
- 第7回「グローバル・システムと文明」研究室 ナノテクノロジーの未来を探る--21世紀に期待される先端産業に基盤技術
- ナノ世界の探求と科学・技術の進展 (特集 ナノサイエンスの現状と将来の展望)
- ナノテクノロジーの可能性と必然性--電気・電子工学との関連を中心に (特集 ナノテクノロジーの最新開発動向)
- ナノの舞台で電子を操る (特集 量子の世界)
- 異色対談 バイオとナノテク,融合への未来と課題 榊佳之 理化学研究所ゲノム科学総合研究センター(GSC)センター長 VS 榊裕之 東京大学生産技術研究所教授
- 異色対談 ナノテク・バイオ・ITの統合がひらく未来社会
- 兄弟対談 ヒトゲノムとナノテクノロジーの権威が「日本の先端技術力」を検証 「人を見る目、技術を見る目」が技術立国・日本の再生に必要 (特集 蘇生できるか?日本の頭脳)
- 量子井戸を吸収層と検出層に用いた波長選択性赤外ボロメータ素子の提案と特性解析
- 29p-C-4 半導体ヘテロジャンクション界面の高分解能電顕による評価
- 1998年ノーベル物理学賞:物理学の新局面を拓いた分数量子ホール効果--ツイ博士,ストーマー博士,ラフリン博士の業績
- 4a-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
- 6-3 半導体ナノ構造の電子デバイス応用の展望 (化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発) 6.将来に向けた革新デバイスの研究開発
- VIPにろぐいん ゲスト 東京大学生産技術研究所教授 榊裕之
- 半導体量子井戸構造における光励起状態の空間運動の観察
- フレキシブルな電子素子技術への期待
- 分子線エピタキシ-成長膜における拡散過程の解明と制御 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- 私の私学考(310)21世紀の世界と豊田工業大学が目指すもの
- ナノピコフロンティア (フロンティアが再生する日本)
- 齋藤成文先生の「文化功労者顕彰」の受賞を祝して