量子井戸を吸収層と検出層に用いた波長選択性赤外ボロメータ素子の提案と特性解析
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概要
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厚さが約10nmのn型のGaAs量子井戸に波長10μm付近の赤外光を入射すると, 基底サブバンドから第1励起サブバンドへ電子が共鳴的に励起され, 光吸収が生じる.これに伴い量子井戸が加熱されるので, その近傍に温度検出層を設置すると赤外ボロメータ素子が実現できる.本論文では, 伝導率の温度依存性が大きなp型GaAs量子井戸を温度検出層とする素子を提案し, 電流感度を上げるための設計, 性能解析及び基礎実験を試みた.赤外吸収と加熱, 熱の伝導と素子固定法, 温度の上昇と検出の各項について検討し, 特に, (1)吸収層のn型量子井戸における周期数や電子密度の光吸収率や温度上昇に及ぼす効果, (2)熱抵抗の高いn^+-GaAs微細電極による素子の支持, (3)p型量子井戸においてドナー不純物導入による温度感度の改善や周期数選定による電流感度の制御について得失を議論した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-25
著者
-
榊 裕之
東京大学生産技術研究所
-
榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
-
榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
-
秋山 英文
東京大学物性研究所
-
菅原 宏治
東京都立科学技術大学
-
笹川 隆平
東京大学生産技術研究所
-
笹川 隆平
東京大学生産技術研究所:(株)富士通研究所
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