InGaAsおよびInAlAs量子ドットを含む2次元電子チャネル伝導特性
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概要
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GaAs基板上のInAs量子ドットなど10nm級の自己形成量子ドットは、様々なデバイス応用が期待されている。たとえば、メモリや赤外検出器への応用では、量子ドットの電荷状態を電気的又は光学的に変化させ、その時生じるドット近傍のチャネルの伝導率変化が信号検出に用いられる。この種の応用では、量子ドットのチャネルの伝導特性に与える影響を定量評価する必要がある。本研究では、チャネル近傍に各種の量子ドットを埋め込んだ試料を形成し、電子移動度や電子密度に及ぼす効果について調べた。特に、荷電可能なInGaAsドットとInAlAsアンチドットを埋め込んだ試料の対比から、歪による影響や電荷によるクーロン的な作用を別々に評価することを試み、理論的解釈も試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
榊 裕之
東京大学生産技術研究所
-
榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
-
榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
-
金 勲
東京大学生産技術研究所
-
野田 武司
生産研
-
野田 武司
東京大学生産技術研究所
-
永宗 靖
電子技術総合研究所
-
永宗 靖
電総研
-
永宗 靖
電子技術総合研究所光技術部
-
川津 琢也
東京大学生産技術研究所
-
堀 真一
東京大学生産技術研究所
-
入沢 準也
東京大学生産技術研究所
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