6-3 半導体ナノ構造の電子デバイス応用の展望 (<小特集>化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発) 6.将来に向けた革新デバイスの研究開発
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概要
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10ナノメートル(nm)オーダの半導体の超薄膜や細線/箱構造を人工的に制御して作り, これを電子デバイスの高性能化や高機能化に活用するための技術開発の経緯と現状を概観し, 解くべき課題と発展の方向を展望する. 特に, 超薄膜技術によるHEMT, 絶縁ゲートFET, HBT, HETなどの高性能トランジスタの誕生や進展, 各種の共鳴トンネル素子の実現と機能探索の現状と意義について述べ, 続いて, 微細な島や量子箱の帯電効果を活用する単電子素子の可能性と問題点を論じると共に, 電子の波動性や可干渉性の電気的制御の試みの現状を記す.
- 1997-07-25
著者
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