プロセス用大口径プラズマの生成と制御
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概要
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現在、ドライエッチング、a-Si膜作製など、各種材料プロセスに反応性弱電離プラズマが広く使用されている。ここでは、次世代に必要な大口径均ープラズマの生成と電子温度制御に関する筆者等の研究を紹介する。大口径均ープラズマの生成については、永久磁石を用いる電子サイクロトロン共鳴(ECR)及び変型マグネトロンRF放電によって生成されるプラズマを対象として研究を行ってきた。ただし、プロセス基板近傍では磁界が無視できる、非磁化プラズマを目標としてきた。現在、次世代に必要とされる規模の均ープラズマを得つつある。一方、電子温度制御については、プラズマに局所空間構造を与えて電子温度を制御する手法を提案し、ピン付きホロー陰極のピン長変化またはグリッドのバイアス変化によって、通常数万度の電子温度を一桁、条件によっては二桁にわたり連続的に制御することに成功している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-01
著者
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