高速リングオシレータ動作におけるMOSEFTのホットキャリア劣化
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概要
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ホットキャリア劣化に起因する100MHz高速動作リングオシレータの速度劣化について調べた。ゲート長の縮小、ゲート酸化膜の薄膜化に伴い、LSI実動作レベルにおれる速度の劣化が顕著に観測される。リングオシレータの速度の劣化は、内部インバータのnMOSFETとpMOSFETの電流値比率(ldn, ldp)の大きく依存するが、出力段負荷容量値にはあまり依存しない。これは、劣化メカニズムの観点においてリングオシレータの速度劣化が内部インバータnMOSFETの電流値の劣化と大きな相関を持つことに起因する。最後にリングオシレータ動作波形を単純にモデル化することにより特有の劣化モードを説明する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
-
畑田 賢造
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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浦岡 行治
松下電器産業半導体研究センター
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浦岡 行治
松下電器産業
-
森井 知行
松下電器産業半導体研究センター
-
畑田 賢造
松下電器産業(株)
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畑田 賢造
松下電器産業 (株)
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