無電解めっきNiコアバンプのTABへの適用検討
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概要
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TAB方式を中心にして用いられているバンプは、電解めっき法によるAuバンプが主流であるが、このAuバンプ形成には下記の課題がある。電解めっきによるLSIのAl電極上へのAuバンプ形成では、バリヤメタルを形成するため、蒸着やフォトリソ工程等の複雑なプロセスが必要となり、バンプ形成コストが高くなる。この課題を解決するため、無電解めっき法によるNiコアバンプの開発を行ってきた。本方式は、半導体ウエハをめっき液に浸漬するだけで、選択的にAI電極上にNiが折出するため、簡便なプロセスでバンプ形成が実現できる。本報では、この低コスト化(従来比1/5〜1/10)のできるNiコアバンプのTABへの適用性を評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
松村 和彦
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
西原 和成
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
河北 哲郎
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
藤本 博昭
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
畑田 賢造
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
藤本 博昭
松下電子工業
-
藤本 博昭
松下電器産業
-
畑田 賢造
アトムニクス研究所
-
畑田 賢造
松下電器産業(株)
-
畑田 賢造
松下電器産業 (株)
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