能動/受動集中定数素子を含む多層回路基板におけるスイッチングノイズのFDTD解析
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概要
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LSIパッケージやMCM等高速ディジタル回路基板においてはシステムのクロックスピードが上昇するにつれ分布定数回路としての影響が顕著になる。特にCMOSインバータ等のスイッチングデバイスはグランド電位変動,クロストーク,EMIノイズ等のノイズを発生し、システムの誤動作を引き起こす。今回、FDTD法にCMOSインバータ及び容量,抵抗の集中定数モデルを組み合わせ、高速ディジタル回路用多層基板におけるスイッチングノイズ及びパルス信号伝搬を解析した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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