CZ法によるSi結晶成長プロセスの非定常総合伝熱解析(<特集>バルク成長(II))
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概要
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A mathematical model for Czochralski (CZ) crystal growth has been developed. The model is based on the assumptions of axial symmetry, diffuse-gray radiation, and conduction dominated heat transfer in the melt. The model (l) includes global radiative heat exchange, (2) is a transient model, (3) requires only physical properties and complete geometry, and (4) permits fast calculation of the view factors based on a novel computation method. Good agreement was obtained between the model and experimental results for the heater power of a 2" puller. Thermal histories of 2" and 6" crystals were calculated.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1992-06-15
著者
-
小林 純夫
住友金属工業(株)総合技術研究所
-
藤原 秀樹
住友金属工業(株)
-
小林 純夫
住友金属工業(株)
-
藤原 俊幸
住友金属工業(株)
-
稲見 修一
住友金属工業(株)
-
久保 高行
住友シチックス(株)
-
宮原 俊二
住友金属工業
-
久保 高行
住友金属工業
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