配向性垂直成長カーボンナノチューブからの電界放出の計算機シミュレーション(2) : ナノチューブ先端の電界強度計算
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概要
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ディスプレイデバイス用の新しい微小電子源として注目されている配向性垂直成長カーボンナノチューブ(CNT)からの電界電子放出特性を解明するために、CNTの種々の幾何学的条件(CNTの平均密度、外径、長さの不均一性など)が、CNT先端の電界強度にどの様な影響を与えるかを計算機シミュレーションにより調べた。基板の上に垂直に配置された9×9本のCNT構造を計算モデルとして採用し、一般3次元境界電荷法により電界計算を行った。この計算モデルの妥当性については、本研究会の別の報告で詳述されている。その結果、CNT先端の電界強度は、その外径にほぼ反比例することが分かった。CNTの平均密度に関しては、系統的で見通し良く解析する方法を考察し、CNTの平均密度が10^<10>本/cm^2を超えるような過剰な密度になると、CNT先端の電界強度は著しく低下することが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-07
著者
-
村田 英一
名城大学理工学部
-
下山 宏
名城大学理工学部
-
大江 俊美
名城大理工
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下山 宏
名城大理工
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村田 英一
名城大学理工学部電気電子工学科
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大江 俊美
名城大学理工学部電気電子工学科
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下山 宏
名城大 理工
-
下山 宏
名城大学大学院 理工学研究科 電気電子工学
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