配向性垂直成長カーボンナノチューブからの電界放出の計算機シミュレーション(1) : 計算手法と計算モデル

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
現在、新材料として最も注目されているカーボンナノチューブ(CNT)は、その電界放出が報告されて以来、最近では、新しい電子放出材料としての応用が進んでいる。特に、基板に対して均一に選択的に垂直成長するように配向制御されたCNT(配向性垂直成長CNT)は、ディスプレイデバイス用の電界放出電子源として期待されている。本報告では、計算機シミュレーションによって配向性垂直成長CNTの先端電界強度の解析を行うための計算手法と計算モデルについて述べている。配向性垂直成長CNTの計算モデルとして、電極板の上に縦横9×9本のCNTが垂直に配置されている構造を採用し、一般3次元境界電荷法を用いて電界計算を行った。その際、分割数による誤差解析、9×9本の計算モデルの妥当性について評価した。その結果、9×9本のCNT計算モデルでも、実際の多数本により構成されるCNTを忠実にシミュレートしていることが確かめられた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-12-07

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク