TiとSi共蒸着によるWからの電界放射電子の収束
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概要
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タングステン単結晶針の側面からTiとSiを単原子層程度蒸着し,真空中で適度な温度で熱処理したところ,電界放射電子が(100)面に集中するのが観測された.この現象は,TiとSiを蒸着する順序には関係なかった.また,(100)面の仕事関数は,なにも蒸着しないときに4.5eV程度であったものが3.3eV程度にまで低下した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-13
著者
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