c軸配向YBa_2Cu_3O_y薄膜における45゜面内配向結晶粒の表面抵抗へ与える影響
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概要
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MgO基板上c軸配向YBa_2Cu_3O_y(YBCO)内の45゜面内配向結晶粒が表面抵抗(R_s)へ与える影響を調べた。45゜結晶粒密度の異なる試料の準備はセルフテンプレート法により行った。R_sの測定は誘電体共振器法を用いた。0゜と45゜それぞれの結晶粒内、さらには0゜-0゜または45゜-45゜同士の同方向結晶粒間の粒界部分では、R_sはほぼ等しい値を有すること、また0゜-45゜粒界がR_s増加の原因になっていることが明らかとなった。0゜-45゜粒界をほとんど含まない試料においては、22GHzでR_s=0.68mΩ(20K)、1.88mΩ(77K)、10GHz換算値で0.14mΩ(20K)、0.39mΩ(77K)のR_sを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
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