マイクロストリップ線路共振器法による表面抵抗と磁場侵入長の測定 : 測定精度に与える膜厚効果の検討

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概要

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マイクロストリップ線路共振器法は、超伝導マイクロ波パッシブデバイスを設計する上で重要なパラメーターである、超伝導薄膜の表面抵抗、磁場侵入長、誘電体基板の比誘電率、誘電損の値を測定することができる。表面抵抗と磁場侵入長の正確な測定のためには、マイクロストリップ線路共振器法を系統的に検討する必要がある。我々は、表面抵抗と磁場侵入長の測定精度に与える膜厚効果を調べた。その結果、表面抵抗、磁場侵入長の正確な値を求めるためには、薄膜の膜厚を考慮する必要があることが分かった。また、マイクロストリップ線路共振器法によりYBCO薄膜の表面抵抗と磁場侵入長を測定した。表面抵抗は、3.9GHz、21Kで177.2μΩ、磁場侵入長λ(0)は、0.37μmと求めることができた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-04-22

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