誘電体共振器法による導体の表面抵抗の測定に関する検討
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概要
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マイクロ波帯において両端短絡形誘電体共振器法は低損失材料の比誘電率ε_<Γ>誘電正接tanδ,および導体板の表面抵抗(実効導電率σ)の高精度な測定方法として確立されつつある。従来、σ測定に関しては、共振器長が整数倍異なる2つの共振器の共振周波数fと無負荷Q,Q_<u>の測定値より求める方法(2共振器法)がよく用いられてきた。また2つの共振器間のtanδの差を受けない方法として、1つの共振器の2つの共振モードのfとQ_<u>の測定値より求める方法(1共振器法)、が提案されている。本研究ではtanδの周波数依存性を考慮しため測定公式を導出し、これよりBMTセラミック誘電体共振器および単結晶サファイア誘電体共振器を用いて、これらの2つの方法に関しての測定精度の検討を行った。この結果、2共振器法は1共振器法よりもばらつき誤差は小さいが、2つの共振器のtanδの差により大きな誤差が生じる実証された。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-17
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