MgOおよびBMT基板の複素誘電率の低温特性のマイクロ波測定
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概要
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本研究では、空洞共振器法により、高温超電導薄膜用MgO単結晶基板およびBa(Mg, L, Sb)O_3セラミック基板についてそれらの複素誘電率(比誘電率ε_s, 誘電正接tanδ_s)の低温測定結果を提供する。常温測定では、14〜16GHzにおけるMgO基板のε_s=9.85で測定精度は約0.2%、tanδ_s=7.8×10^<-6>で測定精度は約6.4%である。さらに、100K以下では14GHz付近でε_s=9.6〜9.7、tanδ_s<1.0×10^<-6>である。同一ロットの基板ではε_sとtanδ_sのばらつきが小さく、その他の基板ではばらつきが大きい。したがって、マイクロストリップ形フィルタなどの設計を行う際は、その都度、複素誘電率の測定をする必要がある。100K以下における6枚のBMT基板の測定結果は、ε_s=24.0〜24.4、tanδ_s=(1〜10)×10^<-6>でばらついている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
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