誘導結合プラズマスパッタリング法による基板両面YBCO薄膜の均一性の評価
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概要
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誘導結合プラズマスパッタリング法を用いて基板両面への大面積YBa_2Cu_3O_y(YBCO)薄膜作製技術の検討を行った。基板両面のYBCOの臨界温度Tc、結晶性はほぼ同一であった。膜質の面内均一性は50x50mm基板を10x10mmの格子状に区切り各位置で評価を行った。膜厚分布は直径50mmのターゲットを用いたにもかかわらず、直径40mm以上の膜面内で10%のばらつき納まっていた。c軸長は1.1683〜1.1693nm、Tcは83.0〜85.5K、77Kでの臨界電流密度はJcは1.7〜1.8MA/cm^2であった。比較的広い面では均一と判断されるが、各位置でのc軸長、Tc、Jcの相関が明確でないことなどから、ミクロな領域で、結晶性、不純物などの不均一を生じていることが予想される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-28
著者
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