R面, A面, C面サファイア基板の誘電率測定とその基板を用いたYBCO薄膜の形成(マイクロ波超伝導/一般)
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概要
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サファイア基板は超伝導マイクロ波デバイスの基板として期待されているが,比誘電率の正確な値やその面内における誘電率の異方性,温度による変化等が明らかにされていない.そこで我々は,空洞共振器法を用いてr^-, a^-, c^-A_2O_3基板の比誘電率の精密な測定や面内の誘電率の異方性を検討した.また,その基板を用いてCeO_2バッファー層とYBCO薄膜の成長機構を検討した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-16
著者
-
大嶋 重利
山形大学工学部
-
向田 昌志
山形大学工学部
-
相澤 慶二
山形大学
-
楠 正暢
山形大学工学部電子情報工学科
-
楠 正暢
山形大工
-
白川 政信
山形大学工学部
-
楠 正暢
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
-
楠 正暢
近畿大学大学院 生物理工学研究科
-
相澤 慶二
山形大学工学部
-
渡部 忍
山形大学工学
-
渡部 忍
山形大学工学部
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