SFQ/CMOSハイブリッドメモリシステムの動作検証(材料・一般)
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概要
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高速性,低消費電力性に優れるSFQ回路とCMOS回路を組み合わせたSFO/CMOSハイプリッドシステムは,両者の特徴を生かした高性能な情報処理システムとして期待される.本研究では,ハイブリッドシステムの一例として,メモリセル部分にCMOS回路を用いるSFQ/CMOSハイブリッドメモリシステムを提案し,各要素回路の動作検証を行った.MOSトランジスタはSFQ回路の動作温度である4.2Kに冷却すると特性が変化するため,低温用のデバイスモデルを作成した.ハイブリッドメモリシステムの要素回路であるインターフェイス回路ならびにメモリをJosephson回路とCMOS回路で設計し,メモリシステムを構築すると共に,その要素回路の動作を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-08
著者
-
吉川 信行
横浜国立大学大学院工学府
-
藤原 完
横浜国立大学大学院工学府
-
藤原 完
超電導工学研究所:日本学術振興会
-
小嶋 英充
横浜国立大学
-
冨田 卓哉
横浜国立大学
-
徳田 勝利
横浜国立大学
-
冨田 卓哉
横浜国立大学大学院
-
藤原 完
超電導工学研
-
吉川 信行
横浜国立大学 工学部 電子情報工学科
-
小嶋 英充
横浜国立大学大学院工学府
-
徳田 勝利
横浜国立大学大学院
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