PbO, TiO_2を含有するガラス・セラミックス誘電体による厚膜容量素子
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概要
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PbO-TiO_2-SiO_2系, PbO-TiO_2-Al_2O_3-SiO_2系およびこれに数種の成分(B_2O_3, PbF_2, ZnO, K_2O)を添加した組成のガラス粉末を基板上に印刷し, これを600℃付近まで加熱処理することにより誘電率の最高が94でそのtan δが0.0130(10^6c/s, 室温で)の厚膜誘電体を得ることができた.誘電率は室温から270℃付近までほぼ直線的に変化し, その温度係数は0.00083/℃であった.加熱処理の際充分軟化しないガラスの場合には, 厚膜誘電体中に亀裂が生じやすく, 厚膜誘電体の誘電率は板状のガラス・セラミックスの場合の1/2近くまで減少する.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1970-02-01
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