原料連続供給型引き下げ法によるBi_<12>GeO_<20>単結晶の育成
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概要
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Transparent and crack-free Bi_<12>Ge_<20> single crystals have been grown by the pulling-down method with a continuous powder feed system. Bi-rich feed powder having a composition of 14.1 mol% GeO_2 is favorable to obtain stoichiometric crystals. Striation-free crystals with an increased transmittance are grown under a small temperature gradient. The shape of the solid-liquid interface during the crystal growth is nearly fiat, which is advantageous to avoid core formation. Average dislocation density is estimated to be 2 × 10^4/cm^2, which is comparable to that of Bi_<12>GeO_<20> crystals grown by the conventional Czochralski method.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2001-07-01
著者
-
樋口 幹雄
北海道大学
-
樋口 幹雄
北海道大学大学院工学研究科物質化学専攻
-
樋口 幹雄
北海道大学大学院工学研究科
-
小平 紘平
北海道大学大学院工学研究科
-
小平 紘平
北大院工
-
上田 隆全
北海道大学大学院工学研究科物質工学専攻
-
小平 紘平
北海道大学
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