ゾルゲル法によるSnO_2薄膜の生成過程
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概要
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Tin Oxide thin films were prepared by sol-gel method using colloidal particles derived from an inorganic salt. The thickness (t) of SnO_2 films and the pulling rates (v) of substrates from dipping solutions were correlated with an expression of t ∝ v^<0.53>. The formation process of SnO_2 thin films was studied. Well-crystallized SnO_2 thin films were obtained above 550℃ after successive dehydration of OH groups. SnO_2 thin films prepared at 550℃ were composed of very fine particles with 10-20 nm in diameter. Firing at higher temperatures caused the grain growth without substantial densification of the films, leading to coarse microstructure.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1993-04-01
著者
-
高橋 順一
北海道大学大学院工学研究科物質工学専攻
-
高橋 順一
北海道大学大学院工学研究科物質化学専攻
-
高橋 順一
北海道大学大学院 工学研究科
-
小平 紘平
北海道大学大学院工学研究科
-
古崎 毅
北海道大学工学部応用化学科
-
鷹羽 寛
北海道大学工学部応用化学科
-
古崎 毅
苫小牧工業高等専門学校工業化学科
-
小平 紘平
北海道大学大学院工学研究科物質工学専攻
-
小平 紘平
北海道大学
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