5p-S-16 陽電子寿命測定による微小な空洞型欠陥と転位型欠陥の識別について
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20pHT-11 陽電子寿命測定法によるAINセラミックス中の熱伝導率と透光性に寄与する格子欠陥(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
アルミニウムの超塑性変形による積層欠陥四面体型原子空孔集合体の形成
-
銅γ相合金の構造欠陥 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
-
25pA27p 核融合中性子照射による金属の損傷過程 : 日本原子力研究所FNSでの照射実験計画(プラズマ基礎/炉材料)
-
格子間原子と格子間原子集合体の問題点と課題 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
-
23pWZ-6 電解メッキ法によるCrMoメッキ層中の高密度ナノボイド形成とその構造(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
-
低温で核融合中性子照射した金属のクライオ・トランスファー電子顕微鏡観察
-
5p-S-15 高温で変形したアルミニウム薄膜での原子空孔集合体形成
-
5p-S-4 面心立方金属薄膜での原子空孔形成のシミュレーション
-
転位欠損状態での塑性変形による原子空孔の異常発生機構
-
31p-M-4 極低温で中性子照射されたAu中のカスケード損傷欠陥形態の照射量依存
-
31p-M-3 低温で14MeV中性子照射した金属での損傷形成・発達過程
-
25aY-8 Cu基底合金中の原子空孔形成エネルギーの第一原理計算
-
1p-CE-12 純金及び金の希薄合金中の微少空孔集合体
-
3p-B-1 物理光学理論による多波近似と電子顕微鏡像への応用
-
23aYP-11 室温温度制御して14MeV中性子照射した金、銀、銅の損傷欠陥の形成
-
電子線照射したAl双晶粒界に形成される欠陥集合体
-
急冷したアルミニウムのvoidのheterogeneous nucleation : 格子欠陥
-
面心立方金属の急冷二次欠陥の形成に及ぼす雰囲気ガスの影響 : 格子欠陥
-
アルミニウム合金の急冷二次欠陥 : 格子欠陥
-
アルミニウムの急冷二次欠陥の形成におよぼす雰囲気ガスの影響 : 格子欠陥
-
アルミニウムのintrinsic typeとextrinsic typeのstacking fault energy : 格子欠陥
-
10a-M-7 急冷アルミニウム中の二次欠陥の消滅過程
-
8a-P-10 急冷アルミニウム中のDislocation loopの焼鈍過程
-
11a-C-7 加工したアルミニウム薄膜の回復過程の観察
-
強加工したAl薄膜中のPrismatic Dislocation Loops : 結晶塑性・格子欠陥
-
13a-L-6 核分裂中性子による金属・合金の照射損傷
-
4p-DQ-6 チャネリング・パスに入るノックオン原子
-
6p-M-2 照射した純金中の線状欠陥の成長と消滅
-
7p-Q-4 金,アルミニウムの高速中性子損傷
-
25a-L-2 変形した金の回復過程
-
31a-YK-12 bcc金属のEAMポテンシャルの比較
-
5p-S-3 体心立方金属中の原子空孔と格子間原子及びそれら集合体
-
13a-L-4 HVEM電子照射した純銅中の点欠陥集合体の形成
-
3a-SG-13 急冷したアルミニウム希薄合金中のボイドの形成
-
28aXT-3 陽電子寿命測定によるCVDで成長した多結晶シリコン中の欠陥構造(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
21aXA-7 太陽電池用シリコンの凝固過程と結晶粒界形成の HREM その場観察
-
18aTH-5 中性子照射後焼鈍したSi中の欠陥構造と陽電子寿命
-
27pYC-7 陽電子寿命測定によるSi中のカスケード損傷欠陥
-
25pYP-3 低温中性子照射したSiの陽電子寿命測定による回復過程
-
25pY-1 陽電子寿命測定による銅中の低温カスケード損傷の照射量依存
-
27aYL-11 陽電子寿命で見た低温中性子照射した銅のカスケード損傷構造
-
28p-ZA-13 TEMによる20Kで600kV自己イオン照射した銅中のカスケード損傷欠陥
-
26a-T-1 低温で観察される欠陥集合体の空間分布から予測されるカスケード損傷過程
-
31a-YK-5 高速中性子照射されたNiおよびNi-Cu中のボイドの陽電子寿命測定
-
5p-S-16 陽電子寿命測定による微小な空洞型欠陥と転位型欠陥の識別について
-
28a-E-8 中性子照射されたNi合金中のボイド表面でのポジトロニウム形成
-
低温中性子照射した金属の低温TEM観察
-
30a-ZN-7 陽電子寿命測定とTEMによる金属・合金中のカスケード損傷欠陥
-
27a-K-5 2-1/2D TEM法による微小点欠陥集合体の型決定における回折条件の検討
-
29p-ZB-6 積層欠陥付近での原子空孔の移動と集合のアトミスティック・シミュレーション
-
26a-T-13 原子空孔シンクとしての積層欠陥と双晶境界
-
26a-T-11 高温での積層欠陥四面体合体の過程
-
5p-S-5 Alの積層欠陥及び双晶面への原子空孔の偏析
-
31a-M-1 原子空孔積層欠陥四面体の核形成機構
-
27aYL-8 コンピュータ・シミュレーションによるバナジウム中の格子間原子の移動エネルギーの決定
-
26a-T-10 高温で中性子照射した面心立方金属でのボイドの形成
-
28a-E-9 2K以下での純金中の格子間原子及びその集合体の移動度
-
純白金中の原子空孔微小集合体の構造緩和
-
純銀中の原子空孔集合体構造緩和のシミュレーション
-
純金のdi-interstitialの低温での移動
-
31a-M-4 Σ5ねじれ粒界近傍での変位カスケード損傷の形成
-
28a-E-11 高温で中性子照射した純銅での損傷組織発達過程
-
純アルミニウム及びAl-Mg, Al-Cu中の原子空孔集合体形成の実験的研究
-
アルミニウム中の原子空孔集合体形成過程の計算機シミュレーション
-
28p-N-4 点欠陥集合体動的挙動の分子動力学的シミュレーション
-
13a-L-7 温室,200℃および400℃における金属,合金のD-T中性子照射損傷
-
3a-SG-14 超高真空中で急冷した金属中の原子空孔 II
-
31a-U-4 アルミニウム中の水素
-
30a-T-8 超高真空中で急冷した金属中の原子空孔
-
31a-U-4 アルミニウム中の水素
-
高速イオン照射した金属の損傷発達基礎過程と水素・ヘリウム原子と損傷欠陥の相互作用の研究 (大学・原研プロジェクト研究(放射線高度利用)) -- (核融合炉材料照射損傷に対する核変換生成物の影響に関する研究)
-
30a-J-12 微小原子空孔集合体の構造と熱的安定性
-
空洞形成による金属材料破壊の原子レベル機構
-
23aYP-12 高温で核分裂中性子照射した純銅中のボイドの核形成と成長機構
-
電子線ホログラフィによる原子空孔集合体の観察
-
26a-T-9 中性子照射した銅中のボイドの高温での移動
-
28pTJ-4 CrMoメッキ層中のナノポーラス組織の構造と物性(28pTJ 格子欠陥・ナノ構造(金属・転位・点欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
-
急冷した金の硬化とその回復 : 格子欠陥
-
14a-Q-5 急冷直後の金の直接観察
-
11p-U-10 急冷した金におけるtetrahedraの形成過程
-
3a-C-4 電顕によるアルミニウムおよびアルミニウム合金の低温電子照射損傷
-
3a-M-8 急冷した高純度金の回復
-
31a-G-5 格子間型ダブル・フォルテッド・ループの成長機構
-
5a-A3-9 カスケード損傷のステージII・IIIでの電子顕微鏡観察の問題点
-
10p-P-10 純アルミニウム中の微小原子空孔集合体の安定性
-
急冷した金のblack spot defect : 格子欠陥
-
金におけるstacking fault tetrahedraの消滅機構 : 格子欠陥
-
アルミニウムにおける急冷原子空孔の消滅過程と電気抵抗 : 格子欠陥
-
金における急冷二次欠陥の消滅機構 : 格子欠陥
-
アルミニウムの急冷二次欠陥の形成におよぼす不純物の影響 : 格子欠陥
-
急冷金中の二次欠陥の形成過程 : 格子欠陥
-
急冷した金のvoid : 格子欠陥
-
急冷アルミニウム中のvoidの形と電顕像 : 格子欠陥
-
3p-P-5 くりかえし電子線照射による試料の純化と格子間型ループの形成
-
5a-DQ-5 電子線照射したアルミニウムにおける格子間型ループの成長速度
-
10p-P-11 急冷した純金中の積層欠陥四面体の成長
-
5a-KM-3 アルミニウム稀薄合金の熱電能
-
5a-Z-2 陽電子寿命測定とTEM観察による14MeV中性子照射された金属の損傷欠陥構造
-
30p-CM-1 Pd-H合金の50K異常(金属)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク