28aXT-3 陽電子寿命測定によるCVDで成長した多結晶シリコン中の欠陥構造(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-03-03

著者

• 福島 博

  広大・工

• 福島 博

  広大工

• 藤原 昭二

  広大工

• 樹木 正法

  広大工

関連論文

• 20pHT-11 陽電子寿命測定法によるAINセラミックス中の熱伝導率と透光性に寄与する格子欠陥(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 銅γ相合金の構造欠陥 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
• 格子間原子と格子間原子集合体の問題点と課題 (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
• 23pWZ-6 電解メッキ法によるCrMoメッキ層中の高密度ナノボイド形成とその構造(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 31p-M-4 極低温で中性子照射されたAu中のカスケード損傷欠陥形態の照射量依存
• 25aY-8 Cu基底合金中の原子空孔形成エネルギーの第一原理計算
• 3a-SG-13 急冷したアルミニウム希薄合金中のボイドの形成
• 28aXT-3 陽電子寿命測定によるCVDで成長した多結晶シリコン中の欠陥構造(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 21aXA-7 太陽電池用シリコンの凝固過程と結晶粒界形成の HREM その場観察
• 18aTH-5 中性子照射後焼鈍したSi中の欠陥構造と陽電子寿命
• 27pYC-7 陽電子寿命測定によるSi中のカスケード損傷欠陥
• 25pYP-3 低温中性子照射したSiの陽電子寿命測定による回復過程
• 25pY-1 陽電子寿命測定による銅中の低温カスケード損傷の照射量依存
• 27aYL-11 陽電子寿命で見た低温中性子照射した銅のカスケード損傷構造
• 28p-ZA-13 TEMによる20Kで600kV自己イオン照射した銅中のカスケード損傷欠陥
• 26a-T-1 低温で観察される欠陥集合体の空間分布から予測されるカスケード損傷過程
• 31a-YK-5 高速中性子照射されたNiおよびNi-Cu中のボイドの陽電子寿命測定
• 5p-S-16 陽電子寿命測定による微小な空洞型欠陥と転位型欠陥の識別について
• 28a-E-8 中性子照射されたNi合金中のボイド表面でのポジトロニウム形成
• 低温中性子照射した金属の低温TEM観察
• 30a-ZN-7 陽電子寿命測定とTEMによる金属・合金中のカスケード損傷欠陥
• 27a-K-5 2-1/2D TEM法による微小点欠陥集合体の型決定における回折条件の検討
• 28pTJ-4 CrMoメッキ層中のナノポーラス組織の構造と物性(28pTJ 格子欠陥・ナノ構造(金属・転位・点欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 5a-A3-9 カスケード損傷のステージII・IIIでの電子顕微鏡観察の問題点
• 5a-Z-2 陽電子寿命測定とTEM観察による14MeV中性子照射された金属の損傷欠陥構造

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク