Fenothiocarb の太陽光によるシリカゲル板上での光分解

概要

論文の詳細を見る
^<14>C-フェノチオカルブの太陽光による分解を検討した.フェノチオカルブをシリカゲル板上で72時間太陽光に照射した場合, 親化合物は34%残存し, 半減期は約45時間と推定された.12個の光分解物が検出され, 同定された化合物は, S-4-phenoxybutyl N-formyl-N-methylthiocarbamate, S-4-phenoxybutyl N-methylthiocarbamate, bis (4-phenoxybutyl) thiolsulfinate, bis (4-phenoxybutyl) thiolsulfonate, fenothiocarb sulfoxideおよび4-phenoxybutylsulfonic acidであった.フェノチオカルブの第一の分解部位は分子中のイオウ原子の酸化反応によるスルホキシドの生成で, 次いで本化合物から形成される4-phenoxybutylsulfenic acid中間体の酸化や2量化反応が起こることが想定された.第二の分解部位はN-methyl基の酸化反応と考えられた.
日本農薬学会の論文
1986-08-20