最適入射角度の低速酸素イオンを用いたSIMS によるボロンのゲート酸化膜突き抜け現象の解析
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概要
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- 日本表面科学会の論文
- 2003-07-10
著者
-
工藤 正博
成蹊大学理工学部
-
青柳 里果
島根大学生物資源学部
-
工藤 正博
成蹊大学工学部物理情報工学科
-
青柳 里果
成蹊大学工学部物理情報工学科
-
川島 義也
NEC エレクトロニクス(株)
-
小山 晋
NEC エレクトロニクス(株)
-
安藤 公一
NEC エレクトロニクス(株)
-
井手 隆
NEC エレクトロニクス(株)
-
工藤 正博
成蹊大学工学部計測数理工学科
-
安藤 公一
日本電気(株)
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