直流重畳パルスめっき法による結晶/非晶質Co-Fe-P軟磁性多層膜の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-05-01
著者
-
押木 満雅
(株)富士通研究所・磁気ディスク研究部
-
押木 満雅
富士通研究所
-
押木 満雅
富士通
-
押木 満雅
(株)富士通ストレージプロダクト事業本部
-
湯本 久美
東京理科大・基礎工
-
石原 正統
物質工学工業技術研究所
-
李 松姫
東京理科大学基礎工学部材料工学科
-
石原 正統
東京理科大学 基礎工学部
-
押木 満雄
富士通研究所
-
今元 徹
東京理科大学 基礎工学部
-
木名瀬 良紀
東京理科大学 基礎工学部
-
湯本 久美
東京理科大学大学院
-
湯本 久美
東京理科大学基礎工学部材料工学科
関連論文
- CoFe/Cu多層膜のCPP (Cur rent Perpendicular to the Plane)-GMR特性
- 超高真空成膜によるPdPtMnスピンバルブ膜のMR特性
- UHV成膜によるPdPtMnスピンバルブ膜のMR特性
- SV膜におけるピン反転の検討
- CPP(Current Perpendicular to the Plane)におけるCoFe/Cu多層膜のCMR特性
- CoFe/Cu多層膜のGMR特性
- PdPtMn反強磁性材料を用いたデュアルスピンバルブ
- スピンバルブのピン層磁化方向の制御方法の検討
- PdPtMn反強磁性材料を用いたスピンバルブ素子形成技術の検討
- PdPtMn反強磁性材料を用いたスピンバルブ (多層膜・人工格子・グラニューラー)
- PdPtMn反強磁性材料を用いたスピンバルブ膜
- X線反射率によるスピンバルブ膜の界面構造解析
- X線反射率と蛍光X線測定による金属多層構造解析
- X線反射率によるスピンバルブ膜の構造解析の検討
- X線反射率と蛍光X線測定による金属多層膜構造解析
- 27aC8 グラファイト上のAg微結晶成長のSEM"その場"観察(気相成長II)
- CF-02 A THIN FILM HEAD FOR HIGH DENSITY RECORDING(1982年インタ-マグ報告)
- 磁場中でのグラファイトのレーザーアブレーションと窒化炭素薄膜の形成
- Mo(110)表面上におけるAg微結晶の成長に伴う回転 : 気相成長IV
- Mo(110)表面上におけるAg双晶結晶の成長のSEMによる動的観察 : 気相成長IV
- CoFe/Cu多層膜のGMR特性
- SEM"その場" 観察によるグラファイト基板上の Ag 粒子の核形成と成長(「核形成と成長カイネティクス」)
- 22pB10 ITOひげ結晶のVLS成長機構(気相成長IV)
- VLS成長した金属微結晶の核生成 : 気相成長
- VLS(気相-液相-固相)成長したCdおよびZn微結晶の均質核生成
- 磁気記録媒体の現状と将来展望
- 電子シャワー法によるAIN薄膜の作製
- X線反射率によるスピンバルブ膜の構造解析の検討
- 2元素合金におけるラフニング転移 : 平衡形
- 27a-J-9 2元系合金におけるラフニング転移
- 不純物BiによりVLS成長したZn結晶のモルフォロジーの特異性
- 金属微細結晶のモルフォロジーに対するHe不活性ガスの影響 : モルフォロジーII
- Cd結晶のVLS成長機構に対する不純物Snの影響
- TiCを化学蒸着被覆した316ステンレス鋼の真空鈍純による界面近傍反応領域について
- 金属微細結晶(Cd, Zn)のVLS成長停止後のVS成長によるモルフォロジー変化 : ホイスカおよびモルフォロジー
- 不純物にAuを用いたVLS自由成長Si単結晶のモルフォロジ
- 各種不純物を含み気相成長したCdおよびZn結晶のモルフォロジーと成長機構の温度依存性
- 種々の不純物(Sn,Pb,In,Zn)を加えたCd結晶のモルフォロジー : モルフォロジーと有機結晶
- Cd微小六角柱状結晶の成長速度 : ひげ結晶と金属
- 気相成長Cd結晶のモルフォロジーと成長機構に対する不純物Biの影響(結晶のモルフォロジー)
- 不純物Biを含むCd結晶のモルフォロジーと成長機構 : モルフォロジー
- 6a-AG-11 不純物Biを含むCd結晶のVLS成長の停止の機構
- GaAs探針を用いた磁気記録媒体のSTM観察
- CoCrPtTa/Cr媒体上の高線密度ビットの磁化反転時定数
- 直流重畳パルスめっき法による結晶/非晶質Co-Fe-P軟磁性多層膜の作製
- 電子シャワー蒸着法により作製したセメンタイト単相膜の硬さの温度依存性
- 電子シャワー蒸着法による鉄の炭化、窒化、酸化膜の作製
- 電子シャワー法によるFe_4N膜の作製および鉄の窒化
- 熱アシスト磁気記録の現状と課題
- 薄膜磁気ヘッドとともに四半世紀
- 高密度ストレージ技術 (特集 21世紀に向けた研究開発)
- 100Gb/in^2用薄膜磁気ヘッドの課題
- 無電解CoFCBめっきを用いた磁気ヘッドコア作製プロセスの基礎的検討
- 高周波対応MoNiFeめっき膜の検討
- 薄膜磁気ヘッドの課題と将来展望
- UHVベーズ体形成におけるポストアニールの有用性
- CoCrPtTa/Cr媒体の記録ビット熱揺らぎ緩和過程
- 高周波対応MoNiFeめっき膜の検討
- 無電解CoFeBめっきを用いた磁気ヘッドコア作製プロセスの基礎的検討
- SKEMによるヘッド磁化強度の周波数依存性
- ポストアニールを用いたCoCrPt/Cr媒体の形成
- アークイオンプレーティング法によるポリカーボネイト基板上へのTiNの低温成膜
- PdPtMn反強磁性材料を用いたデュアルスピンバルブ
- 413 溶射皮膜における密着強度評価法の確立 : その1 皮膜と基材界面に付与した予き裂長さと密着強度の関係
- 246 ピンテスト法を用いたHVOF溶射皮膜の密着性評価
- HVOF溶射粒子の状態解析と皮膜構造
- ゲル状ターゲットによる HVOF 溶射粒子の捕捉と評価
- 高速フレーム溶射皮膜に発生する応力のその場測定 : 高速フレーム溶射皮膜の残留応力(第1報)
- HVOF溶射とプラズマ溶射の残留応力発生過程の比較
- 磁気記録の将来
- 電子シャワー法によるステンレス基板への銅の高密着性膜
- ステンレス鋼への銅の強力コ-テングについて (〔日本伸銅協会伸銅技術研究会〕30周年講演集)
- 電子シャワー法によるCuコーティング膜の作成 : 薄膜
- Cd および Zn 徴結晶の VLS 成長機構
- 不純物としてSnを加えたZn結晶のモルフォロジと成長機構 : モルフォロジーと有機結晶
- アークイオンプレーティング法によるNb-Mo合金膜の作製および水素脆化
- アークイオンプレーティング法による水素透過性Nb薄膜の作製
- 22pB7 アークイオンプレーティング法によるNb膜の成長機構(気相成長IV)
- 電流波形制御によるZn-Ni電析ひげ結晶の成長 : モルフォロジーI
- 電析によるZn-Niひげ結晶の成長機構 : モルフォロジーI
- 電析法によるCo-Niホロー結晶の成長
- Zn-Ni合金ウィスカ-の電析
- ZnO膜で覆われた電析Zn-Ni合金ひげ結晶 : 溶液成長II
- Co-Ni合金ホロー(空洞)結晶の成長機構 : 基礎(実験)III
- 電子ビーム法によるITO薄膜に対する電子シャワーの影響 : 気相成長III
- 電子シャワー法によるITO薄膜の作製とNO_2検知特性の評価
- 活性化反応蒸着法による窒化インジウム薄膜のエレクトロクロミック特製におよぼす酸素の影響
- HVOF溶射法による銅皮膜の作製と評価
- αFe_2O_3からFe_3O_4薄膜への相変態に及ぼすフィラメントの加熱効果
- アークイオンプレーティング法による水素分離透過性Nb-Mo膜の作製および評価
- スパッター法による AlN 薄膜の配向性に対する PBC 理論の応用
- 薄膜磁気ヘッドの現状と課題 (特集 ハードディスクドライブ)
- 5p-D-5 カルナウバ〓エレクトレットの表面電荷
- Cd結晶のVLS成長とその停止機構
- IT0ひげ結晶のVLS成長機構 : 無機結晶I
- 閉管法における蒸気輸送過程 : 気相成長・薄膜I
- PVD過程の成長速度律速機構
- MRヘッド
- 次世代ストレージ技術 (特集:研究開発最前線) -- (情報通信インフラを支える最先端テクノロジ)