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Research Institute Of Electronics Shizuoka University | 論文
- 1120 MEMSピンセットを用いたHBCナノチューブの捕獲(要旨講演,マイクロメカトロニクス)
- In-situ observations of dissolution process of GaSb into InSb melt by X-ray penetration method
- Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
- 車車間・路車間光通信システムへのCMOSイメージセンサ技術の応用と光受信画素回路の特性評価(固体撮像技術および一般)
- 埋め込みダイオードによる2段転送を用いた蛍光寿命イメージセンサ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 埋め込み型高速電荷転送フォトダイオードを用いたTOF距離画像センサの試作(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 1B16-2 ナノリッターチャンバーアレイを用いた一細胞PCRと遺伝子検出(醸造学,醸造工学/センサー・計測工学,ロボット工学/生体情報工学(バイオインフォマティクス),一般講演)
- 可変ゲイン増幅機能付きCMOSイメージセンサ用A/D変換器(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子デバイス)
- Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (シリコン材料・デバイス)
- Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子部品・材料)
- Selective epitaxy growth mechanism of GaAs on circularly patterned GaAs (100) substrates by LPE and CCLPE (電子デバイス)
- Noise reduction effects of column-parallel multiple sampling circuits (情報センシング)
- 埋め込みダイオードを用いた2段電荷転送型低雑音電子シャッタ(イメージセンサ一般(IISW報告会含む))
- 標準CMOSイメージセンサプロセスを用いた2段電荷転送型グローバル電子シャッタ(学生・若手研究会)
- A High-Speed CMOS Image Sensor with Global Electronic Shutter Pixels Using Pinned Diodes
- Super-High Brightness and High-Spin-Polarization Photocathode
- マイクロマニピュレータの相対位置姿勢同時計測技術
- ナノプローブ先端の力学的挙動と接触抵抗値の関係
- SPMリソグラフィ用耐摩耗マイクロプローブ
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