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Ntt Lsi研究所 | 論文
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術(2)
- 堆積時に窒素をドープしたa-Siを用いたポリバッファLOCOS技術
- -0.2μmバルクCMOSプロセスによる-新しい超高速スタティックCMOS分周器の試作
- 浅溝分離0.2μmCMOSと超低電力分周器への応用
- 窒素ドープ層を有するP^+ポリSiゲート電極技術のサブ1/4μm異極ゲートCMOSへの適用
- 全層SOR露光による超微細MOSIC (SOR発光技術)
- バンド構造を反映したイオン化確率の高精度モデル
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション
- 半導体デバイスにおける非平衡キャリア輸送(「非平衡系の統計物理」研究会(その2),研究会報告)
- 27p-B-7 バリスティック量子細線における準束縛状態
- 28a-C-10 量子干渉デバイスの伝導特性
- 通信システムのための大規模回路設計技術 (特集 ブロードバンド光アクセス通信を支える電子回路設計技術)
- N-ISDN用マルチメディア通信会議システムにおけるサービス実現方式の検討
- MUX型FPGAの論理実現能力の評価手法に関する一検討
- 13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
- 29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
- 27p-ZF-7 シリコン量子細線の可視発光 : バンド構造と1次元励起子
- 27a-ZF-3 GaAs(110)表面Cs吸着相の原子構造と電子構造
- 周波数変調ΔΣAD変換器を用いたデジタルマイクロフォンセンサの可能性(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-12-9 マルチレーン構成におけるイーサネットフレーム長判定回路(アーキテクチャ技術,C-12.集積回路,一般セッション)